- область объемного заряда
- space-charge region
Русско-английский словарь по радиоэлектронике. — Руссо. 2005.
область объемного заряда
Look at other dictionaries:
Датчик прямого заряда — Эту статью следует викифицировать. Пожалуйста, оформите её согласно правилам оформления статей. Детекторы прямого заряда относятся к так называемым зарядовым датчиками. Зарядовые датчики датчики с принудительным собиранием з … Википедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… … Энциклопедический словарь
ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 23769 79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 39. π вид колебаний Ндп. Противофазный вид колебаний Вид колебаний, при котором высокочастотные напряжения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Зонд Ленгмюра — устройство, используемое для диагностики плазмы. Зондовый метод был впервые предложен Ирвингом Ленгмюром в 1923 году. Этот метод основан на измерении плотности тока заряженных частиц на помещенный в плазму электрический проводник в зависимости от … Википедия
Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле … Википедия
Поверхностные состояния — Волновая функция одноэлектронного поверхностного уровня, изображенная в направлении х, перпендикулярном поверхности [1]. Поверхностные состояния, (англ. Surface states) (также поверхностные электронные состояния, далее ПС) электронные… … Википедия
Поверхностные электронные состояния — Волновая функция одноэлектронного поверхностного уровня, изображенная в направлении х, перпендикулярном поверхности [1]. Поверхностные состояния, (англ. Surface states) (также поверхностные электронные состояния, далее ПС) электронные состояния … Википедия
Дуговой разряд с накалённым катодом — Накалённый катод … Википедия
